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CVD化学气相沉积概述

发布时间:2022-09-09    点击次数:204
  CVD(Chemical Vapor Deposition)化学气相沉积:化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法,是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术,包括大范围的绝缘材料,大多数金属材料和金属合金材料。
 
  CVD是通过化学反应产生具有高纯度以上等级且有优异性能的固体材料。在半导体产业中,使用这种技术来生长出所需要的固态薄膜(Thin Film)。CVD的工艺是将晶圆片(基板)暴露于单一或各种气体或前躯体下,然后将基板表面形成化学反应或/和分解以产生薄膜。反应过程通常会产生几种副产品,需要透过真空系统将这些副产品或废气吸附带走,而不是留在腔体(反应室)中。
 
  真空系统关键零部件
 
  化学合成的方法主要有四大类,分别为热氧化、CVD、电镀与其他合成方法(例如阳极氧化等)。其中以CVD可以控制薄膜的厚度、均匀度效果优,均匀性甚至可以达到 1 nm 的程度。
 
  CVD主要有几种方式分别为:APCVD常压化学气相沉积、LPCVD低压化学沉积、PECVD等离子化学沉积、MOCVD有机金属化学沉积、ALD原子层沉积等。
 
  CVD的主要运行工艺
 
  01根据要置备的薄膜选定CVD腔体进行反应
 
  02将工艺中所需的特气或前躯体透过气体管路将反映物的质量传输到腔体内
 
  03薄膜前趋体进行反应
 
  04气体分子反应物扩散
 
  05前趋体吸附在衬底表面形成岛状物
 
  06前趋体岛状物合并在衬底表面扩散
 
  07衬底表面进行反应连续膜
 
  08副产品的解吸附作用
 
  09副产品透过真空管路将废气排除
 
  新莱集团强力支持半导体关键零部件国产化
 
  新莱集团拥有完整的UHP超高纯与HP高纯气体系统解决方案,包含最高阶完整的316L VIM/VAR 强腐蚀性气体管路与 手动/气动隔膜阀可以支持CVD气体系统运行,同时新莱集团的真空系统可以在腔体、真空管路与真空阀门提供 CVD系统稳定的真空环境,新莱集团亦提供各种工艺的材料建议选型方案为客户提供安全可靠的工艺支持,为半导体装备关键零部件国产化的进程作贡献。
 

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